CY7C1392KV18-250BZXC

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CY7C1392KV18-250BZXC概述

18兆位的DDR II SIO SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 16Mb(2M x 8) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C1392KV18-250BZXC


得捷:
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 8 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 8 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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IC SRAM DDRII SIO 18MB 165FBGA


CY7C1392KV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 250 MHz

位数 8

存取时间 1 ms

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买CY7C1392KV18-250BZXC
型号: CY7C1392KV18-250BZXC
描述:18兆位的DDR II SIO SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture

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