CY7C1319KV18-250BZXC

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CY7C1319KV18-250BZXC概述

18兆位的DDR II SRAM四字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1319KV18-250BZXC


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静态随机存取存储器 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 DDR II 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Sync 1.8V 18M-bit 1M x 18 10ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1319KV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1319KV18-250BZXC
型号: CY7C1319KV18-250BZXC
描述:18兆位的DDR II SRAM四字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1319KV18-250BZXC
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