对比图
型号 CY7C1319KV18-250BZC CY7C1319KV18-250BZXC
描述 18兆位的DDR II SRAM四字突发架构333 - MHz时钟实现高带宽 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth18兆位的DDR II SRAM四字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
位数 18 18
存取时间 0.45 ns -
存取时间(Max) 0.45 ns 10 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压(Max) 1.9 V -
电源电压(Min) 1.7 V -
电源电压 - 1.7V ~ 1.9V
封装 FBGA-165 FBGA-165
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA)