CY7C1319KV18-250BZC

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CY7C1319KV18-250BZC概述

18兆位的DDR II SRAM四字突发架构333 - MHz时钟实现高带宽 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM Sync SRAMs


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1319KV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1319KV18-250BZC
型号: CY7C1319KV18-250BZC
描述:18兆位的DDR II SRAM四字突发架构333 - MHz时钟实现高带宽 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth
替代型号CY7C1319KV18-250BZC
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