CY7C2644KV18-333BZI

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CY7C2644KV18-333BZI概述

144 - Mbit的QDR® II SRAM双字突发架构( 2.0周期读延迟)与ODT 144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency with ODT

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 144Mb(4M x 36) 并联 165-FBGA(15x17)


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CY7C2644KV18-333BZI


贸泽:
SRAM 144Mb 4Mx36 QDR II QDR II + SRAM


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 4M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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IC SRAM QDRII 144MB 165FBGA


CY7C2644KV18-333BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C2644KV18-333BZI
型号: CY7C2644KV18-333BZI
描述:144 - Mbit的QDR® II SRAM双字突发架构( 2.0周期读延迟)与ODT 144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency with ODT
替代型号CY7C2644KV18-333BZI
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