对比图
型号 CY7C2644KV18-300BZI CY7C2644KV18-333BZI
描述 144 - Mbit的QDR® II SRAM双字突发架构（ 2.0周期读延迟）与ODT 144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT144 - Mbit的QDR® II SRAM双字突发架构（ 2.0周期读延迟）与ODT 144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
位数 36 36
存取时间 0.45 ns 0.45 ns
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V
电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V
时钟频率 300 MHz -
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准