CY7C1643KV18-450BZC

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CY7C1643KV18-450BZC概述

144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 144Mb 8M x 18 Parallel 450MHz 165-FBGA 15x17


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CY7C1643KV18-450BZC


得捷:
IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM QDRII+ 144MB 165FBGA


CY7C1643KV18-450BZC中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 450 MHz

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1643KV18-450BZC
型号: CY7C1643KV18-450BZC
描述:144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency
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