对比图
型号 CY7C1643KV18-450BZC CY7C1643KV18-450BZI
描述 144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
时钟频率 450 MHz 450 MHz
位数 - 18
存取时间 0.45 ns 0.45 ns
存取时间(Max) - 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - 3A991.b.2.a