CY7C25682KV18-550BZXI

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CY7C25682KV18-550BZXI概述

72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 550MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C25682KV18-550BZXI


贸泽:
静态随机存取存储器 72MB 4Mx18 1.8v 550MHz DDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
IC SRAM 72MBIT 550MHZ 165FBGA


CY7C25682KV18-550BZXI中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 550 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C25682KV18-550BZXI
型号: CY7C25682KV18-550BZXI
描述:72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT
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