对比图
型号 CY7C25682KV18-550BZXC CY7C25682KV18-550BZXI CY7C25682KV18-500BZC
描述 72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
存取时间 - 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
时钟频率 - 550 MHz -
位数 18 18 -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -
高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead