CDZT2R10B

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CDZT2R10B概述

VMN 9.99V 0.1W1/10W

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 VMN2


得捷:
DIODE ZENER 10V 100MW VMN2


贸泽:
Zener Diodes 100MW 10V VMN2


安富利:
Diode Zener Single 9.99V 2% 100mW 2-Pin VMN T/R


CDZT2R10B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 10.0 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 9.99 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 VMN-2

外形尺寸

长度 0.9 mm

宽度 0.57 mm

高度 0.37 mm

封装 VMN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CDZT2R10B
型号: CDZT2R10B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VMN 9.99V 0.1W1/10W
替代型号CDZT2R10B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CDZT2R10B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

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罗姆半导体

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