CDZT2R10B和VDZT2R10B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CDZT2R10B VDZT2R10B

描述 VMN 9.99V 0.1W(1/10W)VMD 9.99V 0.1W(1/10W)

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 VMN-2 VMD-2

额定电压(DC) 10.0 V 10.0 V

容差 ±2 % ±2 %

额定功率 100 mW 100 mW

耗散功率 100 mW 100 mW

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 9.99 V 10 V

额定功率(Max) 100 mW 100 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 100 mW 100 mW

长度 0.9 mm 1 mm

宽度 0.57 mm 0.6 mm

高度 0.37 mm 0.5 mm

封装 VMN-2 VMD-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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