CMRDM3575 TR

CMRDM3575 TR图片1
CMRDM3575 TR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125 mW

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 9pF @15VVds

额定功率Max 125 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-963

外形尺寸

封装 SOT-963

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CMRDM3575 TR
型号: CMRDM3575 TR
制造商: Central Semiconductor
描述:CMRDM3575 系列 20V 125 mW N 沟道和P 沟道 增强模式 硅 Mosfet - SOT963
替代型号CMRDM3575 TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CMRDM3575 TR

Central Semiconductor

当前型号

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