DTD114ESTP参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTD114ESTP概述

SPT NPN 50V 500mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW 通孔 SPT

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

DTD114ESTP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-72

外形尺寸

封装 SC-72

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTD114ESTP

型号： DTD114ESTP

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SPT NPN 50V 500mA

替代型号DTD114ESTP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTD114ESTP ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTD114GKT146 罗姆半导体	功能相似	DTD114ESTP和DTD114GKT146的区别
DTD133HKT146 罗姆半导体	功能相似	DTD114ESTP和DTD133HKT146的区别
DTD113ZS 罗姆半导体	功能相似	DTD114ESTP和DTD113ZS的区别