DTD113ZS和DTD114ESTP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTD113ZS DTD114ESTP DTD114GKT146

描述 500毫安/ 50V数字晶体管(带内置式电阻器) 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)SPT NPN 50V 500mADTD114GKT146 编带

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SPT SC-72 SOT-23-3

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

额定功率 - - 0.2 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) - 56 @50mA, 5V 56 @50mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW 200 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

增益带宽 - - 200 MHz

耗散功率(Max) - - 200 mW

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 - - 1.1 mm

封装 SPT SC-72 SOT-23-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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