DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7图片1
DMN32D4SDW-7图片2
DMN32D4SDW-7概述

2个N沟道 30V 650mA

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 650mA 290mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363


立创商城:
2个N沟道 30V 650mA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R


DMN32D4SDW-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.65A

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 50pF @15VVds

额定功率Max 290 mW

下降时间 22.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN32D4SDW-7
型号: DMN32D4SDW-7
制造商: Diodes 美台
描述:2个N沟道 30V 650mA
替代型号DMN32D4SDW-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMN32D4SDW-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

DMN32D4SDW-13

美台

完全替代

DMN32D4SDW-7和DMN32D4SDW-13的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台