DMN32D4SDW-13和DMN32D4SDW-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN32D4SDW-13 DMN32D4SDW-7

描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT3632个N沟道 30V 650mA

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363 SOT-363

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 0.65A 0.65A

上升时间 3.2 ns 3.2 ns

输入电容(Ciss) 50pF @15V(Vds) 50pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 290 mW 290 mW

下降时间 22.8 ns 22.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 350 mW

通道数 2 -

封装 SOT-363 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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