DMP3017SFGQ-7

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DMP3017SFGQ-7概述

P沟道 30V 11.5A

P-Channel 30V 11.5A Ta 940mW Ta Surface Mount PowerDI3333-8


立创商城:
P沟道 30V 11.5A


得捷:
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333


贸泽:
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm


艾睿:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


DMP3017SFGQ-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 18 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 940 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 15.4 ns

下降时间 36.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMP3017SFGQ-7
型号: DMP3017SFGQ-7
制造商: Diodes 美台
描述:P沟道 30V 11.5A
替代型号DMP3017SFGQ-7
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Diodes 美台

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