DMP3017SFGQ-13和DMP3017SFGQ-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMP3017SFGQ-13 DMP3017SFGQ-7

描述 MOSFET P-CH 30V 11.5AP沟道 30V 11.5A

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

通道数 - 1

漏源极电阻 - 18 mΩ

极性 P-CH P-CH

耗散功率 940mW (Ta) 940 mW

阈值电压 - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

上升时间 - 15.4 ns

下降时间 - 36.8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

输入电容(Ciss) 2246pF @15V(Vds) -

耗散功率(Max) 940mW (Ta) -

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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