MOSFET N-CH 100V 10A
表面贴装型 N 通道 10A（Ta），42A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） PowerDI3333-8
得捷:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
贸泽:
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
通道数 1
漏源极电阻 13.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1871pF @50VVds
下降时间 8.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 35W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.8 mm
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMT10H015LFG-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMT10H015LFG-7 美台 | 类似代替 | DMT10H015LFG-13和DMT10H015LFG-7的区别 |