DMT10H015LFG-13和DMT10H015LFG-7

对比图

型号 DMT10H015LFG-13 DMT10H015LFG-7

描述 MOSFET N-CH 100V 10A100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

通道数 1 -

漏源极电阻 13.5 mΩ -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 2 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 10A

上升时间 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 1871pF @50V(Vds) 1871pF @50V(Vds)

下降时间 8.1 ns 8.1 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta), 35W (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc)

长度 3.3 mm -

宽度 3.3 mm -

高度 0.8 mm -

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free