ESD7381MUT5G

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ESD7381MUT5G概述

ESD 保护,ESD 系列设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

瞬态电压抑制器,用于 ESD 保护,ESD 系列

设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。


得捷:
TVS DIODE 3.3VWM 10VC 2X3DFN


立创商城:
ESD7381MUT5G


欧时:
TVS 二极管 ON Semiconductor ESD7381MUT5G 单向, 0.25W, 10V, 2针 DFN封装


e络盟:
静电保护装置, 单向, 10 V, X3DFN, 2 引脚, 250 mW


艾睿:
Protect users and systems from electrostatic discharge with this tvs ESD7381MUT5G ESD protection device from ON Semiconductor. This device&s;s maximum clamping voltage is 10 V. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of ±20@Air Gap/±20@Contact Disc kV. This ESD diode has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration.


安富利:
ESD Suppressor TVS ±20KV 2-Pin X3DFN T/R


Verical:
ESD Suppressor Diode TVS Uni-Dir 3.3V 2-Pin X3-DFN T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  ESD7381MUT5G  TVS Diode, ESD7381 Series, Unidirectional, 3.3 V, 10 V, X3DFN, 2 Pins


力源芯城:
ESD保护二极管,低电容,单向


Win Source:
TVS DIODE 3.3VWM 10VC


ESD7381MUT5G中文资料参数规格
技术参数

电容 0.55 pF

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 2

耗散功率 250 mW

钳位电压 10 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 250 mW

最小反向击穿电压 5 V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DFN-2

外形尺寸

长度 0.62 mm

宽度 0.32 mm

高度 0.28 mm

封装 DFN-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Near Field Communications, 汽车级,RF 天线, RF Switching, PA, and Antenna ESD Protection, RF Signal ESD Protection

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ESD7381MUT5G
型号: ESD7381MUT5G
描述:ESD 保护,ESD 系列 设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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