对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR ESD5381MUT5G 静电保护装置, 10.5 V, X3DFN2, 2 引脚, 3 V, 300 mWESD 保护，ESD 系列设计用于保护 ESD（静电放电）电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间，为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 TVS二极管TVS二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 2
封装 DFN-2 DFN-2
工作电压 3 V -
电容 13 pF 0.55 pF
击穿电压 6.1 V -
针脚数 2 2
耗散功率 300 mW 250 mW
钳位电压 10.5 V 10 V
测试电流 1 mA 1 mA
脉冲峰值功率 0.3 W 250 mW
最小反向击穿电压 6.1 V 5 V
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 250 mW
无卤素状态 - Halogen Free
长度 0.66 mm 0.62 mm
宽度 0.36 mm 0.32 mm
高度 0.28 mm 0.28 mm
封装 DFN-2 DFN-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17