EMG8T2R参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMG8T2R概述

NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管 NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin EMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin EMT T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin EMT T/R

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

EMG8T2R中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SMD-6

外形尺寸

高度 0.45 mm

封装 SMD-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

EMG8T2R引脚图与封装图

在线购买EMG8T2R

型号： EMG8T2R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管 NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors

替代型号EMG8T2R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
EMG8T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
UMG11NTR 罗姆半导体	类似代替	EMG8T2R和UMG11NTR的区别
EMG11T2R 罗姆半导体	类似代替	EMG8T2R和EMG11T2R的区别
RN1506TE85L 东芝	类似代替	EMG8T2R和RN1506TE85L的区别