EMG8T2R和RN1506(TE85L)

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMG8T2R RN1506(TE85L) FMG11AT148

描述 NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管 NPN 100mA 50V Complex Digital TransistorsSMV NPN 50V 100mASMT NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-6 SMV SC-74-5

引脚数 5 5 -

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.15 W - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V - 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

额定功率(Max) 150 mW - 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

额定功率 0.15 W - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 250 MHz - -

耗散功率(Max) 150 mW - -

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 0.45 mm - 1.1 mm

封装 SMD-6 SMV SC-74-5

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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