FQD5N15TM

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FQD5N15TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 4.00 A

漏源极电阻 800 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 4.30 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 230pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 25 ns

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD5N15TM
型号: FQD5N15TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号FQD5N15TM
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