FQD5N15TF和FQD5N15TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD5N15TF FQD5N15TM

描述 Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - -

额定电压(DC) 150 V 150 V

额定电流 4.00 A 4.00 A

漏源极电阻 800 mΩ 800 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.30 A 4.30 A

上升时间 45 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

下降时间 25 ns 25 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

通道数 1 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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