FDS4141_F085

FDS4141_F085图片1
FDS4141_F085图片2
FDS4141_F085图片3
FDS4141_F085图片4
FDS4141_F085图片5
FDS4141_F085图片6
FDS4141_F085图片7
FDS4141_F085图片8
FDS4141_F085图片9
FDS4141_F085图片10
FDS4141_F085图片11
FDS4141_F085图片12
FDS4141_F085概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4141_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.0105 ohm, -10 V, -1.7 V

PowerTrench® P 通道 MOSFET, Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDS4141_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0105 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 10.8A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 2005pF @20VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 11.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.575 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDS4141_F085
型号: FDS4141_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4141_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.0105 ohm, -10 V, -1.7 V
替代型号FDS4141_F085
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDS4141_F085

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FDS4141

飞兆/仙童

类似代替

FDS4141_F085和FDS4141的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台