FDS4141和FDS4141_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4141 FDS4141_F085 AO4485

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4141  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -1.6 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4141_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.0105 ohm, -10 V, -1.7 V-40V,-10A,P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - 1 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.011 Ω 0.0105 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 5 W 1.6 W 1.7 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - 40 V -

连续漏极电流(Ids) 10.8A 10.8A 10A

上升时间 2 ns 4.4 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 2670pF @20V(Vds) 2005pF @20V(Vds) 3000pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1.6 W -

下降时间 12 ns 11.6 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 5W (Ta) 1.6W (Ta) 1.7W (Ta)

额定功率 - - 1.1 W

正向电压(Max) - - 1 V

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.575 mm 1.575 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

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