FQD3N60TM参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FQD3N60TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 2.40 A

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

输入电容Ciss 450pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD3N60TM

型号： FQD3N60TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号FQD3N60TM

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替代型号对比

FQD3N60TM

Fairchild 飞兆/仙童

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FQD3N60CTM_WS

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