FQU30N06LTU

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FQU30N06LTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 24.0 A

漏源极电阻 39.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 210 ns

输入电容Ciss 1040pF @25VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 2.5 mm

高度 6.3 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQU30N06LTU
型号: FQU30N06LTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3Pin3+Tab IPAK Rail
替代型号FQU30N06LTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQU30N06LTU

Fairchild 飞兆/仙童

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STD20NF06L

意法半导体

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FQU30N06LTU和STD20NF06L的区别

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