FQU30N06LTU和STD20NF06L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU30N06LTU STD20NF06L

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3Pin(3+Tab) IPAK RailN沟道60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-251-3 TO-252

额定电压(DC) 60.0 V -

额定电流 24.0 A -

漏源极电阻 39.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 24.0 A -

上升时间 210 ns -

输入电容(Ciss) 1040pF @25V(Vds) -

下降时间 110 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) -

长度 6.8 mm -

宽度 2.5 mm -

高度 6.3 mm -

封装 TO-251-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -

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