FQD10N20CTM_F080

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FQD10N20CTM_F080中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 360 mΩ

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

上升时间 92 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

下降时间 72 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQD10N20CTM_F080
型号: FQD10N20CTM_F080
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 7.8A 3Pin 2+Tab

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