FF650R17IE4D_B2概述
INFINEON FF650R17IE4D_B2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module
Summary of Features:
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- Extended Operation Temperature Ttvj op
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- High DC Stability
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- High Current Density
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- Low Switching Losses
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- Vvj op = 150°C
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- Enlarged Diode for regenerative operation
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- Low Vcesat
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- Package with CTI > 400
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- High Creepage and Clearance Distances
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- High Power and Thermal Cycling Capability
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- Copper Base Plate
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- UL recognized
Benefits:
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- High Power Density
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- Standardized housing
FF650R17IE4D_B2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 10
极性 N-Channel
耗散功率 4.15 kW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
引脚数 10
封装 PRIME-2
外形尺寸
封装 PRIME-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
制造应用 Solar, Wind, Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Traction, Commercial and Agriculture Vehicles
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
FF650R17IE4D_B2引脚图与封装图 
在线购买FF650R17IE4D_B2
型号： FF650R17IE4D_B2
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON FF650R17IE4D_B2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module