FQD30N06

60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

November 2013

Description

This  N-Channel  enhancement  mode  power  MOSFET  is produced  using    Semiconductor’s  proprietary planar  stripe  and  DMOS  technology.  This  advanced

MOSFET  technology  has  been  especially  tailored  to reduce  on-state  resistance,  and  to  provide  superior switching  performance  and  high  avalanche  energy

strength.  These  devices  are  suitable  for  switched  mode power  supplies,  audio  amplifier,  DC  motor  control,  and variable switching power applications.

Features

• 22.7  A,  60  V,  RDSon=  45  mΩ Max.  @ VGS =  10V, ID = 11.4 A

• Low Gate Charge Typ. 19 nC

• Low Crss Typ. 40 pF

• 100% Avalanche Tested