FQD30N06和FQD30N06TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD30N06 FQD30N06TM

描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 2.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 22.7A 22.7A

输入电容(Ciss) - 945pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 44W (Tc)

封装 DPAK TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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