IXGN200N60A2

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IXGN200N60A2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 700000mW 4Pin SOT-227B

IGBT Module PT Single 600V 200A 700W Chassis Mount SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 600V 200A 700W SOT227B


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 700000mW 4-Pin SOT-227B


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 4-Pin SOT-227B


IXGN200N60A2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 700000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 9.9nF @25V

额定功率Max 700 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGN200N60A2
型号: IXGN200N60A2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 700000mW 4Pin SOT-227B
替代型号IXGN200N60A2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

当前型号

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