IRF520A

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IRF520A中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 200 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 25.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 9.20 A

上升时间 14 ns

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IRF520A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

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