IXTQ152N085T

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IXTQ152N085T概述

TO-3P N-CH 85V 152A

N-Channel 85V 152A Tc 360W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 85V 152A TO3P


贸泽:
MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 85V 152A 3-Pin3+Tab TO-3P


IXTQ152N085T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 360 W

漏源极电压Vds 85 V

连续漏极电流Ids 152A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

高度 20.3 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ152N085T
型号: IXTQ152N085T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-3P N-CH 85V 152A
替代型号IXTQ152N085T
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