N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
N-Channel 200V 18A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FP
得捷:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 200V; 10A; TO220ISO
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1560pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF640FP ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |