INFINEON IPB320N20N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin2+Tab TO-263
儒卓力:
**MOSFET 200V 32mOhm 34A TO263 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 2350pF @100VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters, Class D audio amplifiers
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB320N20N3 G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SUM65N20-30-E3 威世 | 功能相似 | IPB320N20N3 G和SUM65N20-30-E3的区别 |