对比图
型号 SUM65N20-30-E3 IPB320N20N3 G IRFB4127PBF
描述 N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON IPB320N20N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IRFB4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 200 V, 17 mohm, 20 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.03 Ω 0.028 Ω 0.017 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.75 W 136 W 375 W
阈值电压 4 V 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
上升时间 220 ns 9 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 2350pF @100V(Vds) 5380pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 136 W 375 W
下降时间 200 ns 4 ns 22 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375 W 136W (Tc) 375000 mW
连续漏极电流(Ids) 65.0 A - 76A
额定功率 - - 375 W
输入电容 - - 5380 pF
长度 10.41 mm 10.31 mm 10.67 mm
宽度 9.652 mm 9.45 mm 4.4 mm
高度 4.826 mm 4.57 mm 15.65 mm
封装 TO-263 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -