IS61WV6416EEBLL-10BLI

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IS61WV6416EEBLL-10BLI概述

静态随机存取存储器 1Mb 2.4V-3.6V 10ns 64K x 16 Async 静态随机存取存储器

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 10ns 48-TFBGA 6x8


立创商城:
IS61WV6416EEBLL 10BLI


得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 1Mb 2.4V-3.6V 10ns 64K x 16 Async 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 48-Pin TFBGA


Verical:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin TFBGA


Win Source:
IC SRAM 1MB 10NS HS/LP 48MBGA


IS61WV6416EEBLL-10BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS61WV6416EEBLL-10BLI
型号: IS61WV6416EEBLL-10BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 1Mb 2.4V-3.6V 10ns 64K x 16 Async 静态随机存取存储器
替代型号IS61WV6416EEBLL-10BLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS61WV6416EEBLL-10BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

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