IS42RM16200D-75BLI

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IS42RM16200D-75BLI概述

32m, 2.5V, Mobile Sdram, 2mx16, 133MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It

SDRAM - 移动 存储器 IC 32Mb(2M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA


立创商城:
IS42RM16200D 75BLI


艾睿:
1M x 16Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM


IS42RM16200D-75BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42RM16200D-75BLI
型号: IS42RM16200D-75BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:32m, 2.5V, Mobile Sdram, 2mx16, 133MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It
替代型号IS42RM16200D-75BLI
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IS42RM16200D-75BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

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IS42RM16200D-75BLI和IS42RM16200C-75BLI的区别

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