IS42S16800E-7BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16800E-7BLI概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

Win Source:
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 54TFBGA

IS42S16800E-7BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 130 mA

存取时间 5.4 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S16800E-7BLI

型号： IS42S16800E-7BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54

替代型号IS42S16800E-7BLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S16800E-7BLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S16800E-7BL Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS42S16800E-7BLI和IS42S16800E-7BL的区别
IS45S16800E-7BLA2 Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS42S16800E-7BLI和IS45S16800E-7BLA2的区别
IS42S16800F-7BL Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S16800E-7BLI和IS42S16800F-7BL的区别