IS42S16800F-6BL-TR

IS42S16800F-6BL-TR图片1
IS42S16800F-6BL-TR图片2
IS42S16800F-6BL-TR图片3
IS42S16800F-6BL-TR图片4
IS42S16800F-6BL-TR概述

128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS, T&R

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA


立创商城:
IS42S16800F 6BL TR


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


IS42S16800F-6BL-TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 120 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S16800F-6BL-TR
型号: IS42S16800F-6BL-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS, T&R
替代型号IS42S16800F-6BL-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42S16800F-6BL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS42S16800E-6BL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS42S16800F-6BL-TR和IS42S16800E-6BL-TR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台