IS62WV5128BLL-55BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS62WV5128BLL-55BLI-TR概述

静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 55ns 36-TFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 36-Pin Mini-BGA T/R

Win Source:
IC SRAM 4MBIT 55NS 36MINIBGA

IS62WV5128BLL-55BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

位数 8

存取时间 55 ns

内存容量 4000000 B

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 36

封装 MBGA-36

外形尺寸

封装 MBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS62WV5128BLL-55BLI-TR

型号： IS62WV5128BLL-55BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器

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替代型号IS62WV5128BLL-55BLI-TR

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