IS43R83200D-5TL

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IS43R83200D-5TL概述

动态随机存取存储器 256M 32Mx8 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb(32M x 8) 并联 66-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 256M 32Mx8 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 2.5V 66-Pin TSOP-II


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 2.5V 66-Pin TSOP-II


IS43R83200D-5TL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 330 mA

位数 8

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43R83200D-5TL
型号: IS43R83200D-5TL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M 32Mx8 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
替代型号IS43R83200D-5TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

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