IS43R16160F-5BLI

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IS43R16160F-5BLI概述

256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA


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IS43R16160F 5BLI


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DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz


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8Mx32, 16Mx16, 32Mx8256Mb DDR SDRAM


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DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA


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DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA


IS43R16160F-5BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 200 mA

位数 16

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43R16160F-5BLI
型号: IS43R16160F-5BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT
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