IS42S32400E-6TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S32400E-6TL概述

128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86Pin TSOP II 400 mil RoHS

SDRAM Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 86-TSOP II

得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

贸泽:
DRAM 128M 4Mx32 166MHz SDR SDRAM, 3.3V

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

DeviceMart:
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP

IS42S32400E-6TL中文资料参数规格

技术参数

供电电流 180 mA

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 6.5ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 86

封装 TSOP-86

外形尺寸

长度 22.22 mm

宽度 10.16 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-86

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

IS42S32400E-6TL引脚图与封装图

在线购买IS42S32400E-6TL

型号： IS42S32400E-6TL

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86Pin TSOP II 400 mil RoHS

替代型号IS42S32400E-6TL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S32400E-6TL Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S32400F-7TL Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S32400E-6TL和IS42S32400F-7TL的区别
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IS42S32400E-6TL-TR Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S32400E-6TL和IS42S32400E-6TL-TR的区别